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SI5853DDC-T1-E3
0.155
SI5853DDC-T1-E3 数据手册 (12 页)
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SI5853DDC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SMD-8
功耗
1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
漏源极电压(Vds)
20 V
输入电容值(Ciss)
320pF @10V(Vds)
耗散功率(Max)
1.3W (Ta), 3.1W (Tc)

SI5853DDC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI5853DDC-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.18 MByte

SI5853DDCT1 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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