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SI5935CDC-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

ChipFET-8

描述:

双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI5935CDC-T1-E3 数据手册 (11 页)

SI5935CDC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

ChipFET-8

漏源极电阻

100 mΩ

极性

Dual P

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

3.1A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

455pF @10V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

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SI5935CDC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

3000

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SI5935CDC-T1-E3 符合标准

SI5935CDC-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.24 MByte

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