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SI5935CDC-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI5935CDC-T1-GE3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI5935CDC-T1-GE3 数据手册 (11 页)

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SI5935CDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装(公制)

3216

封装

1206

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.083 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

3.1A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

455pF @10V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

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SI5935CDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI5935CDC-T1-GE3 符合标准

SI5935CDC-T1-GE3 概述

SI5935CDC-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.23 MByte

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11 页 / 0.19 MByte

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