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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI6801DQ-T1 Datasheet 文档
SI6801DQ-T1
器件3D模型
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SI6801DQ-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TSSOP
漏源极电阻
160 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
1.00 W
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
-1.90 A to 1.90 A

SI6801DQ-T1 数据手册

Vishay Siliconix
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