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SI6981DQ-T1-E3
器件3D模型
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SI6981DQ-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI6981DQ-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TSSOP-8
极性
Dual P-Channel
上升时间
55 ns
下降时间
52 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1140 mW

SI6981DQ-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI6981DQ-T1-E3 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.11 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.21 MByte

SI6981DQT1 数据手册

VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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