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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI6981DQ-T1-GE3 Datasheet 文档
SI6981DQ-T1-GE3
器件3D模型
1.457

SI6981DQ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TSSOP-8
极性
Dual P-Channel
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
-4.80 A
额定功率(Max)
830 mW

SI6981DQ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI6981DQ-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Siliconix
11 页 / 0.21 MByte

SI6981DQT1 数据手册

VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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