器件3D模型

￥ 0.962

SI6981DQ-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSSOP-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI6981DQ-T1-GE3 数据手册 (6 页)

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SI6981DQ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSSOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.026 Ω

功耗

830 mW

上升时间

55 ns

下降时间

52 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1140 mW

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SI6981DQ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI6981DQ-T1-GE3 符合标准

SI6981DQ-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.09 MByte

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