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SI7121DN-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAK-1212-8

描述:

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7121DN-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SI7121DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK-1212-8

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

P-Channel

功耗

52 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-16.0 A

上升时间

13.0 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

27.8 W

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SI7121DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.15 mm

宽度

3.15 mm

高度

1.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7121DN-T1-GE3 符合标准

SI7121DN-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

14 页 / 0.53 MByte

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