器件3D模型

￥ 0.276

SI7149ADP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7149ADP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SI7149ADP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7149ADP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0042 Ω

极性

P-Channel

功耗

48 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

50A

输入电容值(Ciss)

5125pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

48 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5000 mW

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SI7149ADP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.99 mm

宽度

5 mm

高度

1.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

SI7149ADP-T1-GE3 符合标准

SI7149ADP-T1-GE3 概述

SI7149ADP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.3 MByte

SI7149ADP-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.12 MByte

SI7149ADP-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

4 页 / 0.27 MByte

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