器件3D模型

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SI7170DP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SI7170DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7170DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SI7170DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7170DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

4.3 mΩ

极性

N-Channel

功耗

5 W

阈值电压

2.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

10 ns

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI7170DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7170DP-T1-GE3 符合标准

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SI7170DP-T1-GE3 其他数据使用手册

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SI7170DP-T1-GE3 产品修订记录

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