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SI7212DN-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

PowerPAK-1212-8

描述:

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7212DN-T1-E3 数据手册 (12 页)

SI7212DN-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK-1212-8

漏源极电阻

36 mΩ

极性

Dual N

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.9A

上升时间

12 ns

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

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SI7212DN-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI7212DN-T1-E3 符合标准

SI7212DN-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

12 页 / 0.53 MByte

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