￥ 1.023

SI7252DP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPak-Dual-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 36.7 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7252DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7252DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7252DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPak-Dual-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

46 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

36.7A

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI7252DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

3000

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SI7252DP-T1-GE3 符合标准

SI7252DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.36 MByte

SI7252DP-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.33 MByte

SI7252DP-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

1 页 / 0.1 MByte

SI7252DP-T1-GE3 产品手册

VISHAY（威世）

4 页 / 0.05 MByte

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