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SI7386DP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7386DP-T1-GE3 数据手册 (12 页)

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SI7386DP-T1-GE3 数据手册 (12 页)

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SI7386DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0058 Ω

极性

N-CH

功耗

5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

9 ns

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5000 mW

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SI7386DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI7386DP-T1-GE3 符合标准

SI7386DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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