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SI7404DN-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1212

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI7404DN-T1-GE3 数据手册 (6 页)

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SI7404DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

1212

漏源极电阻

0.01 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

13.3 A

上升时间

39.0 ns

工作温度(Max)

150 ℃

SI7404DN-T1-GE3 符合标准

SI7404DN-T1-GE3 数据手册

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