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SI7450DP-T1
器件3D模型
4.31
SI7450DP-T1 数据手册 (11 页)
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SI7450DP-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
5.30 A
封装
SO
正向电压
750 mV
漏源极电阻
90.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.90 W
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.20 A
上升时间
20.0 ns

SI7450DP-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI7450DP-T1 数据手册

Vishay Siliconix
11 页 / 0.47 MByte

SI7450 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道200 V( D- S)的MOSFET N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 4.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7450DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7450DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 4.5 V
VISHAY(威世)
N沟道200 V( D- S)的MOSFET N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
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