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SI7454DP-T1
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SI7454DP-T1 数据手册 (5 页)
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SI7454DP-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PowerPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
5A

SI7454DP-T1 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.21 MByte

SI7454 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7454DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7454DDP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7454DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 7.8A, SOIC, 整卷
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7454CDP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 100 V, 25200 µohm, 10 V, 1.2 V
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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