Web Analytics
Datasheet 搜索 > Vishay Intertechnology > SI7454DP-T1-E3 Datasheet 文档
SI7454DP-T1-E3
0.657
SI7454DP-T1-E3 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI7454DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PowerPAK SO
漏源极电阻
0.028 Ω
功耗
1.9 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI7454DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI7454DP-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology
11 页 / 0.3 MByte

SI7454DPT1 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7454DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7454DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 7.8A, SOIC, 整卷
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z