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SI7463DP-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAK SO

描述:

VISHAY SI7463DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -40 V, 0.0075 ohm, 20 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7463DP-T1-E3 数据手册 (12 页)

封装尺寸在6 页 7 页 8 页

SI7463DP-T1-E3 数据手册 (12 页)

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SI7463DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK SO

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.9 W

漏源极电压(Vds)

-40.0 V

连续漏极电流(Ids)

-18.6 A

上升时间

25 ns

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1900 mW

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SI7463DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7463DP-T1-E3 符合标准

SI7463DP-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

12 页 / 0.3 MByte

SI7463DP-T1-E3 其他数据使用手册

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SI7463DP-T1-E3 产品设计图

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