器件3D模型

￥ 1.776

SI7463DP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -40 V, 0.0075 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7463DP-T1-GE3 数据手册 (12 页)

封装尺寸在6 页 7 页 8 页 11 页

SI7463DP-T1-GE3 数据手册 (12 页)

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SI7463DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.9 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

-18.6 A

上升时间

25 ns

额定功率(Max)

1.9 W

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5400 mW

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SI7463DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI7463DP-T1-GE3 符合标准

SI7463DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

12 页 / 0.31 MByte

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12 页 / 0.47 MByte

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