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SI7469DP-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8

描述:

VISHAY SI7469DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7469DP-T1-E3 数据手册 (13 页)

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SI7469DP-T1-E3 数据手册 (13 页)

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SI7469DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

极性

P-Channel

功耗

83 W

漏源极电压(Vds)

-80.0 V

连续漏极电流(Ids)

-28.0 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI7469DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

5.99 mm

高度

1.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7469DP-T1-E3 符合标准

SI7469DP-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.45 MByte

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