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SI7469DP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8

描述:

VISHAY SI7469DP-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 28A, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7469DP-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SI7469DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.029 Ω

极性

P-Channel

功耗

5.2 W

漏源极电压(Vds)

-80.0 V

连续漏极电流(Ids)

-28.0 A

工作温度(Max)

150 ℃

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SI7469DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.15 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7469DP-T1-GE3 符合标准

SI7469DP-T1-GE3 海关信息

SI7469DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

14 页 / 0.29 MByte

SI7469DP-T1-GE3 其他数据使用手册

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