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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI7469DP-T1-GE3 Datasheet 文档
SI7469DP-T1-GE3
器件3D模型
5.349
SI7469DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)
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SI7469DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
漏源极电阻
29 mΩ
功耗
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
漏源极电压(Vds)
80 V
输入电容值(Ciss)
4700pF @40V(Vds)
耗散功率(Max)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

SI7469DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI7469DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
13 页 / 0.29 MByte
Vishay Siliconix
13 页 / 0.29 MByte

SI7469DPT1 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
VISHAY(威世)
P通道80 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
P 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7469DP-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 28A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7469DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
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