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SI7469DP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7469DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SI7469DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7469DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

29 mΩ

极性

P-Channel

功耗

5.2 W

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

-28.0 A

输入电容值(Ciss)

4700pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

83 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5200 mW

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SI7469DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.15 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

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SI7469DP-T1-GE3 符合标准

SI7469DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.31 MByte

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13 页 / 0.29 MByte

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