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SI7491DP
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SI7491DP 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PowerPAK
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
11A

SI7491DP 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.11 MByte

SI7491 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7491DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -30V, 18A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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