器件3D模型

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SI7840DP-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7840DP-T1 数据手册 (5 页)

SI7840DP-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

漏源极电阻

9.50 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.90 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

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SI7840DP-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2500

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SI7840DP-T1 符合标准

SI7840DP-T1 数据手册

VISHAY（威世）

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