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SI7844DP-T1
器件3D模型
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SI7844DP-T1 数据手册
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SI7844DP-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO
漏源极电阻
30.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.40 W
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.40 A

SI7844 数据手册

VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7844DP-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
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