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SI7844DP-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7844DP-T1-E3 数据手册 (6 页)

SI7844DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

0.03 Ω

功耗

1.4 W

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

热阻

60℃/W (RθJA)

额定功率(Max)

1.4 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

SI7844DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

5.99 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7844DP-T1-E3 符合标准

SI7844DP-T1-E3 概述

SI7844DP-T1-E3 数据手册

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6 页 / 0.1 MByte

SI7844DP-T1-E3 其他数据使用手册

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SI7844DP-T1-E3 其他参考文件

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