器件3D模型

￥ 0.937

SI7848BDP-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

N通道40 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7848BDP-T1-E3 数据手册 (13 页)

SI7848BDP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

额定功率

36 W

漏源极电阻

9 mΩ

极性

N-Channel

功耗

4.2 W

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

47.0 A

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

2000pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

36 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

4200 mW

查看数据手册 >

SI7848BDP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI7848BDP-T1-E3 符合标准

SI7848BDP-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.37 MByte

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13 页 / 0.29 MByte

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