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SI7860DP 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAK

描述:

N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI7860DP 数据手册 (5 页)

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SI7860DP 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

PowerPAK

漏源极电阻

8.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

5.00 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

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