器件3D模型

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SI7866DP-T1 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

N沟道MOS管

封装:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI7866DP-T1 数据手册 (4 页)

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SI7866DP-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

漏源极电阻

2.50 mΩ

极性

N-Channel

功耗

5.40 W

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

29.0 A

SI7866DP-T1 符合标准

SI7866DP-T1 数据手册

SI7866DP-T1 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.04 MByte

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