器件3D模型

￥ 0.57

SI7884BDP-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

单 N沟道 40 V 0.0075 Ohms 表面贴装功率Mosfet - PowerPAK-SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7884BDP-T1-E3 数据手册 (13 页)

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SI7884BDP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

极性

N-Channel

功耗

4.6 W

漏源极电压(Vds)

40 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

3540pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

46 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

4.6W (Ta), 46W (Tc)

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SI7884BDP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI7884BDP-T1-E3 符合标准

SI7884BDP-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.3 MByte

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