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SI7900AEDN-T1-GE3
0.561
SI7900AEDN-T1-GE3 数据手册 (13 页)
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SI7900AEDN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerPak-1212-8
通道数
2 Channel
漏源极电压(Vds)
20 V
额定功率(Max)
1.5 W

SI7900AEDN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI7900AEDN-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
13 页 / 0.51 MByte
Vishay Siliconix
12 页 / 0.51 MByte

SI7900AEDNT1 数据手册

VISHAY(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET ,共漏极 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
VISHAY(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET ,共漏极 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
Vishay Semiconductor(威世)
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET ,共漏极 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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