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SI7922DN
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SI7922DN 数据手册 (12 页)
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SI7922DN 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PowerPAK SO
漏源极电阻
162 mΩ
极性
Dual N-Channel
功耗
1.3 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
11.0 ns
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

SI7922DN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI7922DN 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.53 MByte

SI7922 数据手册

VISHAY(威世)
双 N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8
VISHAY(威世)
SI7922DN-T1-GE3 编带
Vishay Semiconductor(威世)
N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
双N沟道100 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Intertechnology
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