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SI7922DN-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI7922DN-T1 数据手册 (6 页)

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SI7922DN-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

漏源极电阻

230 mΩ

极性

Dual N-Channel

功耗

2.60 W

连续漏极电流(Ids)

1.80 A

SI7922DN-T1 符合标准

SI7922DN-T1 数据手册

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VISHAY（威世）

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