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SI7922DN-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAK-1212-8

描述:

双 N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7922DN-T1-E3 数据手册 (13 页)

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SI7922DN-T1-E3 数据手册 (13 页)

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SI7922DN-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK-1212-8

漏源极电阻

195 mΩ

极性

Dual N

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

1.8A

上升时间

11 ns

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

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SI7922DN-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI7922DN-T1-E3 符合标准

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VISHAY（威世）

13 页 / 0.55 MByte

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