￥ 3.173

SI7938DP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAK SO

描述:

VISHAY SI7938DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40V, 60A, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7938DP-T1-GE3 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI7938DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK SO

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0048 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

3.5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

工作温度(Max)

150 ℃

查看数据手册 >

SI7938DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

SI7938DP-T1-GE3 符合标准

SI7938DP-T1-GE3 海关信息

SI7938DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

14 页 / 0.33 MByte

SI7938DP-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.33 MByte

SI7938DP-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.27 MByte

SI7938DPT1 数据手册

SI7938DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

SI7938DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI7938DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI7938DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40V, 60A, 整卷

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号