器件3D模型

￥ 1.671

SI7994DP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SI7994DP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7994DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SI7994DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7994DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0046 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

3.5 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

3500pF @15V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3500 mW

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SI7994DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7994DP-T1-GE3 符合标准

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