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SI8410DB-T2-E1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

BGA-4

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI8410DB-T2-E1 数据手册 (8 页)

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SI8410DB-T2-E1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

BGA-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

输入电容值(Ciss)

620pF @10V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1800 mW

SI8410DB-T2-E1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

SI8410DB-T2-E1 符合标准

SI8410DB-T2-E1 数据手册

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