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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI9435BDY-T1-E3 Datasheet 文档
SI9435BDY-T1-E3
器件3D模型
0.425
SI9435BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI9435BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.07 Ω
功耗
1.3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.3W (Ta)

SI9435BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
5 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI9435BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.23 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

SI9435BDYT1 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
-30V,-4.1A,P沟道MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
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