器件3D模型

￥ 0.378

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI9435BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO-8

极性

P-Channel

功耗

1.3W (Ta)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-4.10 A

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

SI9435BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI9435BDY-T1-GE3 符合标准

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册

SI9435BDY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

8 页 / 0.17 MByte

SI9435BDYT1 数据手册

SI9435BDY-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI9435BDY-T1 数据手册

Vishay Intertechnology

SI9435BDY-T1 数据手册

VISHAY（威世）

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI9435BDY-T1 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI9435BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

-30V,-4.1A,P沟道MOSFET

SI9435BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI9435BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI9435BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI9435BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号