器件3D模型

￥ 0.194

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9435BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI9435BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

P-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

14 ns

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

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SI9435BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2500

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SI9435BDY-T1-GE3 符合标准

SI9435BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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