Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > SI9435DY Datasheet 文档
SI9435DY
器件3D模型
1
SI9435DY 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI9435DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-5.30 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
38.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
输入电容
690 pF
栅电荷
14.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.30 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
690pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

SI9435DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI9435DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.09 MByte

SI9435 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
-30V,-4.1A,P沟道MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY  晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z