器件3D模型

￥ 1.083

SI9910DJ-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

FET驱动器

封装:

DIP-8

描述:

VISHAY SI9910DJ-E3 芯片, MOSFET驱动器, 非反相, DIP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9910DJ-E3 数据手册 (6 页)

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SI9910DJ-E3 数据手册 (6 页)

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SI9910DJ-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

8 Pin

工作电压

10.8V ~ 16.5V

封装

DIP-8

额定功率

700 mW

上升/下降时间

50ns, 35ns

输出接口数

1 Output

输出电压

10.7 V

输出电流

1 A

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

上升时间

50ns (Max)

下降时间

35ns (Max)

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

10.8V ~ 16.5V

电源电压(Max)

16.5 V

电源电压(Min)

10.8 V

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SI9910DJ-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Each

长度

10.92 mm

高度

3.81 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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SI9910DJ-E3 符合标准

SI9910DJ-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.07 MByte

SI9910DJ-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

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