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Datasheet 搜索 > 电源管理 > Vishay Semiconductor(威世) > SI9910DY-T1-E3 Datasheet 文档
SI9910DY-T1-E3
器件3D模型
0.894
SI9910DY-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI9910DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
50ns, 35ns
输出接口数
1 Output
供电电流
0.5 mA
功耗
700 mW
上升时间
50 ns
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
700 mW
电源电压
10.8V ~ 16.5V
电源电压(Min)
10.8 V

SI9910DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

SI9910DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.27 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.27 MByte

SI9910DYT1 数据手册

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自适应功率MOSFET驱动器 Adaptive Power MOSFET Driver
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