器件3D模型

￥ 0.105

SI9926BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

描述:

SI9926BDY-T1-E3 停产编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9926BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI9926BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

漏源极电阻

20.0 mΩ

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

1.14 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.20 A

额定功率(Max)

1.14 W

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SI9926BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI9926BDY-T1-E3 符合标准

SI9926BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.11 MByte

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