器件3D模型

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SI9926BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI9926BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)

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SI9926BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.14 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

6.20 A

上升时间

50 ns

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

SI9926BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SI9926BDY-T1-GE3 符合标准

SI9926BDY-T1-GE3 数据手册

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