器件3D模型

￥ 0.173

SI9933CDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SI9933CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V

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焊盘图

引脚图

产品图

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SI9933CDY-T1-E3 数据手册 (10 页)

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SI9933CDY-T1-E3 数据手册 (10 页)

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SI9933CDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.048 Ω

极性

P-Channel, Dual P-Channel

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-4.00 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

665pF @10V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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SI9933CDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.55 mm

工作温度

-50℃ ~ 150℃

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SI9933CDY-T1-E3 符合标准

SI9933CDY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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