器件3D模型

￥ 0.869

SI9934BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9934BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI9934BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

P-CH

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

4.8A

上升时间

35 ns

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.1 W

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SI9934BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI9934BDY-T1-E3 符合标准

SI9934BDY-T1-E3 概述

SI9934BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.1 MByte

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6 页 / 0.07 MByte

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