器件3D模型

￥ 0.939

SI9934BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI9934BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI9934BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.1 W

漏源极电压(Vds)

-12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-6.40 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.1 W

SI9934BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

SI9934BDY-T1-E3 符合标准

SI9934BDY-T1-E3 数据手册

SI9934BDY-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

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