Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SI9948AEY-E3 Datasheet 文档
SI9948AEY-E3
器件3D模型
0
SI9948AEY-E3 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI9948AEY-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
漏源极电阻
170 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.40 W
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
-2.60 A to 2.60 A

SI9948AEY-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

SI9948AEY-E3 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.08 MByte

SI9948 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
双P通道60 -V (D -S ) , 175 2 C MOSFET Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z